Substrat RF F4BM275 Stratifié double face cuivré Cuivre ED en poids de 0.5oz 18µm, 1oz 35µm, 1.5oz 50µm, 2 oz 70µm

F4BM275 : Un stratifié RF haute performance pour une conception équilibrée

Conçu comme un membre essentiel de la famille polyvalente de produits F4BM/F4BME, le stratifié PTFE/fibre de verre F4BM275 offre un équilibre exceptionnel de propriétés électriques, thermiques et mécaniques, adapté aux applications RF et hyperfréquences avancées. Avec une constante diélectrique (Dk) soigneusement ajustée de 2,75, il occupe le niveau supérieur du spectre Dk de la série, offrant aux concepteurs une combinaison unique de stabilité structurelle améliorée et d'intégrité du signal préservée. Ce matériau est une alternative robuste et de grande valeur aux stratifiés importés, conçue pour répondre aux exigences rigoureuses des circuits haute fréquence modernes.

Avantages du matériau de base

La composition du F4BM275 tire parti d'une proportion accrue de tissu de verre tissé par rapport à la résine PTFE pour atteindre sa constante diélectrique cible. Cette teneur en verre plus élevée se traduit directement par une stabilité dimensionnelle supérieure, un coefficient de dilatation thermique (CTE) plus faible dans le plan et des performances thermiques améliorées. Par conséquent, il est exceptionnellement bien adapté aux constructions de cartes multicouches et aux applications où la robustesse physique sous cyclage thermique est essentielle.

Revêtu d'une feuille de cuivre électrodéposée (ED) standard, cette variante est optimisée pour des performances rentables dans les applications où l'intermodulation passive (PIM) ultra-faible n'est pas une contrainte primordiale. Il offre des performances fiables et à faibles pertes, essentielles pour les diviseurs de puissance, les coupleurs, les filtres et les réseaux d'alimentation d'antennes. Son excellente résistance thermique et environnementale en fait également un candidat de choix pour les systèmes aérospatiaux, satellitaires et radar.

Fiche technique

Performances électriques (@ 10 GHz) :

• Constante diélectrique (Dk) : 2,75 ±0,05
• Facteur de dissipation (Df) : 0,0015 (augmente à 0,0021 à 20 GHz)
• Coefficient thermique de Dk (TCDk) : -92 ppm/°C (-55°C à 150°C)
• Isolation : Résistivité volumique ≥ 6×10⁶ MΩ·cm ; Résistivité de surface ≥ 1×10⁶ MΩ

Propriétés thermiques et structurelles :

• Coefficient de dilatation thermique : Axe XY : 14-16 ppm/°C (-55°C à 288°C), Axe Z : 112 ppm/°C (-55°C à 288°C)
• Conductivité thermique (axe Z) : 0,38 W/(m·K)
• Plage de fonctionnement : -55°C à +260°C
• Absorption d'humidité : ≤ 0,08 %
• Inflammabilité : Certifié UL 94 V-0

Fiabilité mécanique :

• Résistance au pelage du cuivre (1 oz. ED) : > 1,8 N/mm
• Contrainte thermique : Pas de délamination après 3 cycles de 10 secondes à 260°C

Configurations et disponibilité

Le F4BM275 est proposé avec une flexibilité remarquable pour répondre à divers besoins de fabrication :

Revêtement en cuivre :Disponible avec du cuivre ED standard en poids de 0,5 oz (18µm), 1 oz (35µm), 1,5 oz (50µm) et 2 oz (70µm).

Tailles de panneaux :Les tailles standard incluent 460x610mm, 500x600mm, 850x1200mm, 914x1220mm et 1000x1200mm, avec des tailles personnalisées disponibles sur demande.

Épaisseur du noyau :Une large gamme est proposée, de 0,2 mm (minimum pour Dk 2,75) jusqu'à 12,0 mm, avec des tolérances de fabrication spécifiées.

Solutions améliorées :Disponible sous forme de stratifiés plaqués métal (F4BM275-CU ou F4BM275-AL) pour les applications nécessitant une dissipation thermique supérieure (base en cuivre) ou un blindage efficace (base en aluminium).

Conclusion

Le F4BM275 se distingue comme un substrat stratégiquement conçu qui équilibre avec brio une constante diélectrique plus élevée et stable avec les avantages inhérents à faibles pertes de la chimie PTFE. Sa teneur en tissu de verre améliorée assure la stabilité dimensionnelle et thermique requise pour des assemblages fiables et à haute densité. Offrant de nombreuses options de configuration et soutenu par une production commerciale à grand volume, le F4BM275 présente une solution convaincante, haute performance et rentable pour la prochaine génération de conceptions RF et hyperfréquences.