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Circuit imprimé hybride haute fréquence 4 couches – RT/duroid 5880 + FR4 (Or par immersion, tranchée à profondeur contrôlée)

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Circuit imprimé hybride haute fréquence 4 couches – RT/duroid 5880 + FR4 (Or par immersion, tranchée à profondeur contrôlée)

Nombre De Pièces:	1 pièces
Prix:	0.99-99USD/PCS
Emballage Standard:	emballage
Période De Livraison:	2-10 jours ouvrables
Méthode De Paiement:	T/T, Paypal
Capacité D'approvisionnement:	50000 pièces

Les informations détaillées

Description du produit

Les informations détaillées

Lieu d'origine

Chine

Nom de marque

Rogers

Certification

ISO9001

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1 pièces

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Description du produit

Plaque d'impression hybride 4 couches haute fréquence – RT/duroid 5880 + FR4 (Or par immersion, tranchée à profondeur contrôlée)

Nous présentons notre plaque d'impression hybride 4 couches RT/duroid 5880 + FR4 – une carte de circuit imprimé ultra-basse perte et haute performance conçue pour les applications exigeantes en ondes millimétriques, bande Ku et aérospatiales. La section RF supérieure utilise un stratifié PTFE renforcé de microfibres de verre Rogers RT/duroid 5880 (Dk 2,20 ±0,02, Df 0,0009 @ 10 GHz), tandis que les couches inférieures utilisent du FR4 à haute Tg pour le support mécanique et l'optimisation des coûts. Cette construction hybride comprend une structure en cuivre à 6 couches (plaque d'impression 4 couches avec plans de cuivre supplémentaires), finie avec de l'or par immersion (2µ), une résine de masquage bleue et une sérigraphie blanche. La carte comprend des tranchées à profondeur contrôlée et répond aux normes de fiabilité IPC-6012 Classe 3, avec un placage de cuivre de 25µm dans chaque via.

Spécifications clés

Paramètre	Détails
Type de produit	Plaque d'impression hybride 4 couches haute fréquence (structure cuivre 6 couches)
Matériaux de base	RT/duroid 5880 (section RF supérieure) + FR4 à haute Tg (section inférieure)
Épaisseur de la carte finie	1,0 mm
Dimensions de la carte	90 mm × 80 mm = 1 pièce
Poids du cuivre des couches internes	0,5 oz (17,5 μm)
Poids du cuivre des couches externes	1 oz (35 μm) fini
Nombre total de couches de cuivre	6 (y compris les plans de masse/alimentation internes)
Masque de soudure	Bleu (supérieur et inférieur)
Sérigraphie	Blanc (supérieur)
Finition de surface	Or par immersion (ENIG) – épaisseur d'or de 2 micromètres (0,05 μm)
Épaisseur du placage des vias	Minimum 25 μm (1 mil) dans chaque trou
Caractéristiques spéciales	Tranchée à profondeur contrôlée (cavité/canal fraisé)
Norme de qualité	IPC-6012 Classe 3 (Haute fiabilité)
Test électrique	100% avant expédition
Format des fichiers de conception	Gerber RS-274-X

Empilement de la plaque d'impression (4 couches avec structure cuivre 6 couches)

Circuit imprimé hybride haute fréquence 4 couches – RT/duroid 5880 + FR4 (Or par immersion, tranchée à profondeur contrôlée) 0

Qu'est-ce que le RT/duroid 5880 ?

Le RT/duroid® 5880 est un composite PTFE renforcé de microfibres de verre de Rogers Corporation, conçu pour les applications de circuits stripline et microstrip exigeantes. Contrairement aux matériaux renforcés de verre tissé, les microfibres orientées aléatoirement éliminent la variation de Dk causée par les effets de tissage du verre – offrant une uniformité exceptionnelle de la constante diélectrique d'un panneau à l'autre et sur la fréquence.

Avec le facteur de dissipation (Df) le plus bas (0,0009 @ 10 GHz) de tous les matériaux PTFE renforcés, le RT/duroid 5880 étend son utilité aux fréquences Ku, K, Ka et ondes millimétriques (jusqu'à 100 GHz+). Il est facilement découpé, cisaillé et usiné à la forme, et résistant à tous les solvants et réactifs utilisés pour la gravure des circuits imprimés ou le placage des bords et des trous.

Propriétés clés du RT/duroid 5880

Propriété	Valeur typique	Condition	Méthode de test
Constante diélectrique (Dk) – Processus	2,20 ±0,02	10 GHz / 23°C	IPC-TM-650 2.5.5.5
Constante diélectrique (Dk) – Conception	2,2	8–40 GHz	Méthode de longueur de phase différentielle
Facteur de dissipation (Df)	0,0009	10 GHz / 23°C	IPC-TM-650 2.5.5.5
Facteur de dissipation (Df)	0,0004	1 MHz / 23°C	IPC-TM-650 2.5.5.3
Coefficient thermique de Dk (TCDk)	-125 ppm/°C	-50 à 150°C	IPC-TM-650 2.5.5.5
Résistivité volumique	2 × 10⁷ MΩ·cm	C96/35/90	ASTM D257
Résistivité surfacique	3 × 10⁷ MΩ	C96/35/90	ASTM D257
Chaleur spécifique	0,96 J/g/K (0,23 cal/g/°C)	–	Calculé
Module de traction (X @ 23°C)	1 070 MPa (156 kpsi)	A	ASTM D638
Module de traction (Y @ 23°C)	860 MPa (125 kpsi)	A	ASTM D638
Résistance à la traction (X @ 23°C)	29 MPa (4,2 kpsi)	A	ASTM D638
Résistance à la traction (Y @ 23°C)	27 MPa (3,9 kpsi)	A	ASTM D638
Allongement à la rupture (X @ 23°C)	6,00%	A	ASTM D638
Allongement à la rupture (Y @ 23°C)	4,90%	A	ASTM D638
Module de compression (Z @ 23°C)	940 MPa (136 kpsi)	A	ASTM D695
Absorption d'humidité	0,02%	0,062" (1,6 mm), D48/50	ASTM D570
Conductivité thermique	0,20 W/m/K	80°C	ASTM C518
CTE – axe X	31 ppm/°C	0–100°C	IPC-TM-650 2.4.41
CTE – axe Y	48 ppm/°C	0–100°C	IPC-TM-650 2.4.41
CTE – axe Z	237 ppm/°C	0–100°C	IPC-TM-650 2.4.41
Td (Temp. de décomposition)	500°C	TGA	ASTM D3850
Densité	2,2 g/cm³	–	ASTM D792
Force d'arrachage du cuivre	31,2 N/mm (5,5 pli)	Après flottement de soudure, EDC 1 oz	IPC-TM-650 2.4.8
Inflammabilité	V-0	–	UL 94
Compatible avec les processus sans plomb	Oui	–	–

Épaisseurs standard disponibles pour RT/duroid 5880

Épaisseur (pouces)	Épaisseur (mm)	Tolérance
0,005"	0,127 mm	±0,0005"
0,010"	0,254 mm	±0,0007"
0,020"	0,508 mm	±0,0015"
0,031"	0,787 mm	±0,0020"
0,062"	1,575 mm	±0,0030"

Épaisseurs supplémentaires disponibles de 0,0035" à 0,375" par incréments variables.

Avantages clés du RT/duroid 5880

Avantage	Description
Pertes ultra-faibles (Df 0,0009 @ 10 GHz)	Pertes les plus faibles de tous les matériaux PTFE renforcés – idéal pour les ondes millimétriques (jusqu'à 100 GHz+)
Tolérance Dk serrée (±0,02)	Impédance et adaptation de phase prévisibles – critiques pour les réseaux phasés
Pas d'effet de tissage du verre	Les microfibres orientées aléatoirement éliminent la variation de Dk associée au PTFE renforcé de verre tissé
Uniformité d'un panneau à l'autre	Propriétés électriques constantes simplifiant la production en grand volume
Stabilité sur une large gamme de fréquences	Constante Dk de 500 MHz à 40 GHz+
Faible absorption d'humidité (0,02%)	Performances électriques stables dans les environnements humides
Facile à travailler	Facile à découper, cisailler et usiner ; résistant aux solvants et réactifs
Faible dégazage	Idéal pour les applications spatiales et satellitaires

Applications typiques du RT/duroid 5880

Radars à ondes millimétriques (automobile, défense, météo)

Antennes réseau phasé (5G/6G, satellite, défense)

Antennes haut débit pour compagnies aériennes commerciales (connectivité en vol)

Circuits microstrip et stripline (filtres, coupleurs, diviseurs de puissance)

Systèmes de communication par satellite (faible dégazage requis)

Antennes radio numériques point à point (backhaul, liaisons micro-ondes)

Systèmes de guidage (missile, drone, navigation)

Dispositifs de test et de mesure (jusqu'à 100 GHz)

Électronique RF de qualité spatiale

Qu'est-ce qu'une tranchée à profondeur contrôlée ?

Une tranchée à profondeur contrôlée (également appelée routage à profondeur contrôlée, routage de cavité ou fraisage de poche) est un processus d'usinage de précision qui retire de la matière de couches spécifiques d'une plaque d'impression à une profondeur contrôlée et précise, sans traverser toute la carte.

Dans ce produit, la tranchée à profondeur contrôlée est usinée dans la section RT/duroid 5880 ou dans des couches FR4 spécifiques pour créer :

Cavités pour composants – pour intégrer les composants à fleur de la surface de la carte
Cavités d'air – pour une meilleure isolation ou performance d'antenne
Cavités étagées – pour assemblage hybride (SMT + liaison filaire)
Fonctionnalités de gestion thermique – pour fixation directe du dissipateur thermique

Caractéristiques clés

Paramètre	Description
Processus	Routage CNC avec contrôle de profondeur (précision axe Z)
Tolérance de profondeur	Généralement ±0,05 mm à ±0,10 mm selon le matériau
Largeur minimale de la tranchée	Généralement ≥0,8 mm (selon le diamètre de la fraise)
Finition du fond de la tranchée	Peut s'arrêter sur la couche de cuivre, le prépreg ou dans le diélectrique
Méthode d'inspection	Mesure optique ou laser de la profondeur

Types de tranchées à profondeur contrôlée

Type	Description	Application typique
Tranchée aveugle	S'arrête dans la couche diélectrique	Cavité pour composant, cavité d'air
Tranchée à fond de cuivre	S'arrête sur une couche de cuivre	Plaque thermique, cavité de mise à la terre
Tranchée traversante (fente usinée)	Traverse toute la carte	Dégagement mécanique, blindage
Tranchée étagée	Profondeurs multiples dans une seule cavité	Intégration de composants de différentes hauteurs

Applications des tranchées à profondeur contrôlée dans les plaques d'impression RF

Application	Avantage
Composants passifs intégrés	Composants encastrés sous la surface – réduit la hauteur, améliore les performances RF
Cavités d'air pour MEMS RF	Fournit un espace libre autour des structures mobiles
Tranchées d'isolation d'antenne	Réduit le couplage entre les radiateurs adjacents
Accès au dissipateur thermique	Chemin thermique direct du composant au dissipateur thermique
Poches pour liaison filaire	Zone encastrée pour liaison filaire de CI avec des longueurs de fil courtes
Sièges de boîtiers de blindage	Encastrement précis pour le placement des blindages EMI
Réglage de la constante diélectrique	Le retrait de matière modifie localement la Dk effective

Considérations de conception pour les tranchées à profondeur contrôlée

Considération	Recommandation
Largeur minimale de la tranchée	≥0,8 mm (plus grande pour les cartes plus épaisses)
Rayon de coin	≥0,4 mm (diamètre de la fraise / 2)
Tolérance de profondeur	Spécifier un minimum de ±0,05 mm
Enregistrement des couches	Critique pour les tranchées s'arrêtant sur les couches de cuivre
Effilochage de la fibre de verre	Les matériaux PTFE (RT/5880) peuvent nécessiter un ébavurage post-tranchée
Inspection	Demander une mesure de profondeur sur le premier article

Avantages des tranchées à profondeur contrôlée

Avantage	Description
Réduction de la hauteur des composants	Intégrer les composants pour réduire le profil global
Amélioration des performances RF	Les cavités d'air réduisent les pertes et les effets parasites
Gestion thermique	Contact direct entre le composant et le dissipateur thermique
Intégration du blindage	Sièges précis pour les blindages EMI
Flexibilité de conception	Permet des techniques d'assemblage hybrides

Défis et atténuations

Défi	Atténuation
Précision du contrôle de profondeur	Utiliser un routeur CNC avec retour d'axe Z ; spécifier les tolérances
Bavures / Effilochage (PTFE)	Utiliser des outils tranchants ; post-traitement par sablage humide ou ébavurage manuel
Enregistrement des couches	Inclure des repères ; spécifier les tolérances tranchée-caractéristique
Coût de fabrication accru	Équilibrer la complexité par rapport au bénéfice de performance

Nous prenons en charge les prototypes jusqu'à la production en volume avec expédition mondiale. Contactez-nous pour :

Rapports de mesure de profondeur de tranchée

Échantillons de test de contrôle d'impédance

Vérification de l'adaptation de phase

Prix de volume et délais de livraison

Les étiquettes:

carte PCB à grande vitesse,

conception de circuit à haute fréquence,

bluetooth circuit board

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Les informations détaillées

Description du produit

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Certification

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Numéro de modèle

5880

Quantité de commande min:

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Prix:

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50000 pièces

Description du produit

Plaque d'impression hybride 4 couches haute fréquence – RT/duroid 5880 + FR4 (Or par immersion, tranchée à profondeur contrôlée)

Spécifications clés

Paramètre	Détails
Type de produit	Plaque d'impression hybride 4 couches haute fréquence (structure cuivre 6 couches)
Matériaux de base	RT/duroid 5880 (section RF supérieure) + FR4 à haute Tg (section inférieure)
Épaisseur de la carte finie	1,0 mm
Dimensions de la carte	90 mm × 80 mm = 1 pièce
Poids du cuivre des couches internes	0,5 oz (17,5 μm)
Poids du cuivre des couches externes	1 oz (35 μm) fini
Nombre total de couches de cuivre	6 (y compris les plans de masse/alimentation internes)
Masque de soudure	Bleu (supérieur et inférieur)
Sérigraphie	Blanc (supérieur)
Finition de surface	Or par immersion (ENIG) – épaisseur d'or de 2 micromètres (0,05 μm)
Épaisseur du placage des vias	Minimum 25 μm (1 mil) dans chaque trou
Caractéristiques spéciales	Tranchée à profondeur contrôlée (cavité/canal fraisé)
Norme de qualité	IPC-6012 Classe 3 (Haute fiabilité)
Test électrique	100% avant expédition
Format des fichiers de conception	Gerber RS-274-X

Empilement de la plaque d'impression (4 couches avec structure cuivre 6 couches)

Circuit imprimé hybride haute fréquence 4 couches – RT/duroid 5880 + FR4 (Or par immersion, tranchée à profondeur contrôlée) 0

Qu'est-ce que le RT/duroid 5880 ?

Propriétés clés du RT/duroid 5880

Propriété	Valeur typique	Condition	Méthode de test
Constante diélectrique (Dk) – Processus	2,20 ±0,02	10 GHz / 23°C	IPC-TM-650 2.5.5.5
Constante diélectrique (Dk) – Conception	2,2	8–40 GHz	Méthode de longueur de phase différentielle
Facteur de dissipation (Df)	0,0009	10 GHz / 23°C	IPC-TM-650 2.5.5.5
Facteur de dissipation (Df)	0,0004	1 MHz / 23°C	IPC-TM-650 2.5.5.3
Coefficient thermique de Dk (TCDk)	-125 ppm/°C	-50 à 150°C	IPC-TM-650 2.5.5.5
Résistivité volumique	2 × 10⁷ MΩ·cm	C96/35/90	ASTM D257
Résistivité surfacique	3 × 10⁷ MΩ	C96/35/90	ASTM D257
Chaleur spécifique	0,96 J/g/K (0,23 cal/g/°C)	–	Calculé
Module de traction (X @ 23°C)	1 070 MPa (156 kpsi)	A	ASTM D638
Module de traction (Y @ 23°C)	860 MPa (125 kpsi)	A	ASTM D638
Résistance à la traction (X @ 23°C)	29 MPa (4,2 kpsi)	A	ASTM D638
Résistance à la traction (Y @ 23°C)	27 MPa (3,9 kpsi)	A	ASTM D638
Allongement à la rupture (X @ 23°C)	6,00%	A	ASTM D638
Allongement à la rupture (Y @ 23°C)	4,90%	A	ASTM D638
Module de compression (Z @ 23°C)	940 MPa (136 kpsi)	A	ASTM D695
Absorption d'humidité	0,02%	0,062" (1,6 mm), D48/50	ASTM D570
Conductivité thermique	0,20 W/m/K	80°C	ASTM C518
CTE – axe X	31 ppm/°C	0–100°C	IPC-TM-650 2.4.41
CTE – axe Y	48 ppm/°C	0–100°C	IPC-TM-650 2.4.41
CTE – axe Z	237 ppm/°C	0–100°C	IPC-TM-650 2.4.41
Td (Temp. de décomposition)	500°C	TGA	ASTM D3850
Densité	2,2 g/cm³	–	ASTM D792
Force d'arrachage du cuivre	31,2 N/mm (5,5 pli)	Après flottement de soudure, EDC 1 oz	IPC-TM-650 2.4.8
Inflammabilité	V-0	–	UL 94
Compatible avec les processus sans plomb	Oui	–	–

Épaisseurs standard disponibles pour RT/duroid 5880

Épaisseur (pouces)	Épaisseur (mm)	Tolérance
0,005"	0,127 mm	±0,0005"
0,010"	0,254 mm	±0,0007"
0,020"	0,508 mm	±0,0015"
0,031"	0,787 mm	±0,0020"
0,062"	1,575 mm	±0,0030"

Épaisseurs supplémentaires disponibles de 0,0035" à 0,375" par incréments variables.

Avantages clés du RT/duroid 5880

Avantage	Description
Pertes ultra-faibles (Df 0,0009 @ 10 GHz)	Pertes les plus faibles de tous les matériaux PTFE renforcés – idéal pour les ondes millimétriques (jusqu'à 100 GHz+)
Tolérance Dk serrée (±0,02)	Impédance et adaptation de phase prévisibles – critiques pour les réseaux phasés
Pas d'effet de tissage du verre	Les microfibres orientées aléatoirement éliminent la variation de Dk associée au PTFE renforcé de verre tissé
Uniformité d'un panneau à l'autre	Propriétés électriques constantes simplifiant la production en grand volume
Stabilité sur une large gamme de fréquences	Constante Dk de 500 MHz à 40 GHz+
Faible absorption d'humidité (0,02%)	Performances électriques stables dans les environnements humides
Facile à travailler	Facile à découper, cisailler et usiner ; résistant aux solvants et réactifs
Faible dégazage	Idéal pour les applications spatiales et satellitaires

Applications typiques du RT/duroid 5880

Radars à ondes millimétriques (automobile, défense, météo)

Antennes réseau phasé (5G/6G, satellite, défense)

Antennes haut débit pour compagnies aériennes commerciales (connectivité en vol)

Circuits microstrip et stripline (filtres, coupleurs, diviseurs de puissance)

Systèmes de communication par satellite (faible dégazage requis)

Antennes radio numériques point à point (backhaul, liaisons micro-ondes)

Systèmes de guidage (missile, drone, navigation)

Dispositifs de test et de mesure (jusqu'à 100 GHz)

Électronique RF de qualité spatiale

Qu'est-ce qu'une tranchée à profondeur contrôlée ?

Dans ce produit, la tranchée à profondeur contrôlée est usinée dans la section RT/duroid 5880 ou dans des couches FR4 spécifiques pour créer :

Cavités pour composants – pour intégrer les composants à fleur de la surface de la carte
Cavités d'air – pour une meilleure isolation ou performance d'antenne
Cavités étagées – pour assemblage hybride (SMT + liaison filaire)
Fonctionnalités de gestion thermique – pour fixation directe du dissipateur thermique

Caractéristiques clés

Paramètre	Description
Processus	Routage CNC avec contrôle de profondeur (précision axe Z)
Tolérance de profondeur	Généralement ±0,05 mm à ±0,10 mm selon le matériau
Largeur minimale de la tranchée	Généralement ≥0,8 mm (selon le diamètre de la fraise)
Finition du fond de la tranchée	Peut s'arrêter sur la couche de cuivre, le prépreg ou dans le diélectrique
Méthode d'inspection	Mesure optique ou laser de la profondeur

Types de tranchées à profondeur contrôlée

Type	Description	Application typique
Tranchée aveugle	S'arrête dans la couche diélectrique	Cavité pour composant, cavité d'air
Tranchée à fond de cuivre	S'arrête sur une couche de cuivre	Plaque thermique, cavité de mise à la terre
Tranchée traversante (fente usinée)	Traverse toute la carte	Dégagement mécanique, blindage
Tranchée étagée	Profondeurs multiples dans une seule cavité	Intégration de composants de différentes hauteurs

Applications des tranchées à profondeur contrôlée dans les plaques d'impression RF

Application	Avantage
Composants passifs intégrés	Composants encastrés sous la surface – réduit la hauteur, améliore les performances RF
Cavités d'air pour MEMS RF	Fournit un espace libre autour des structures mobiles
Tranchées d'isolation d'antenne	Réduit le couplage entre les radiateurs adjacents
Accès au dissipateur thermique	Chemin thermique direct du composant au dissipateur thermique
Poches pour liaison filaire	Zone encastrée pour liaison filaire de CI avec des longueurs de fil courtes
Sièges de boîtiers de blindage	Encastrement précis pour le placement des blindages EMI
Réglage de la constante diélectrique	Le retrait de matière modifie localement la Dk effective

Considérations de conception pour les tranchées à profondeur contrôlée

Considération	Recommandation
Largeur minimale de la tranchée	≥0,8 mm (plus grande pour les cartes plus épaisses)
Rayon de coin	≥0,4 mm (diamètre de la fraise / 2)
Tolérance de profondeur	Spécifier un minimum de ±0,05 mm
Enregistrement des couches	Critique pour les tranchées s'arrêtant sur les couches de cuivre
Effilochage de la fibre de verre	Les matériaux PTFE (RT/5880) peuvent nécessiter un ébavurage post-tranchée
Inspection	Demander une mesure de profondeur sur le premier article

Avantages des tranchées à profondeur contrôlée

Avantage	Description
Réduction de la hauteur des composants	Intégrer les composants pour réduire le profil global
Amélioration des performances RF	Les cavités d'air réduisent les pertes et les effets parasites
Gestion thermique	Contact direct entre le composant et le dissipateur thermique
Intégration du blindage	Sièges précis pour les blindages EMI
Flexibilité de conception	Permet des techniques d'assemblage hybrides

Défis et atténuations

Défi	Atténuation
Précision du contrôle de profondeur	Utiliser un routeur CNC avec retour d'axe Z ; spécifier les tolérances
Bavures / Effilochage (PTFE)	Utiliser des outils tranchants ; post-traitement par sablage humide ou ébavurage manuel
Enregistrement des couches	Inclure des repères ; spécifier les tolérances tranchée-caractéristique
Coût de fabrication accru	Équilibrer la complexité par rapport au bénéfice de performance

Nous prenons en charge les prototypes jusqu'à la production en volume avec expédition mondiale. Contactez-nous pour :

Rapports de mesure de profondeur de tranchée

Échantillons de test de contrôle d'impédance

Vérification de l'adaptation de phase

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